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功能描述:MOSFET N-CHANNEL 1200V 50A DIE
制造商:cree/wolfspeed
系列:Z-FET??
包装:散装
零件状态:停產
FET 类型:N 沟道
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):1200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):50A(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):90.8nC @ 20V
Vgs(最大值):+25V,-5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1915pF @ 800V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):313mW(Tj)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):110 毫欧 @ 20A,20V
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:模具
封装/外壳:模具
标准包装:1